Теоретический трек¶
- В случае комплексной диэлектрической проницаемости дифференциальный оператор уравнения Гельмгольца для одномерного фотонного кристалла не является самосопряженным, следовательно, его собственные функции не ортогональны. Для применения модального метода необходимо иметь базис, ортогональный базису собственных значений указанного оператора. Учитывая явный вид внутреннего скалярного произведения $$ \langle f,g \rangle = \intop_0^{\Lambda} \frac{1}{\eta(x)} f^*(x) g(x) dx $$ запишите в явном виде оператор, сопряженный указанному. Покажите, что собственные функци исходного и сопряженного оперторов взаимно ортогональны. Какие изменения необходимо внести в модальный метод расчета матрицы рассеяния простой бинарной решетке с поглощающими материалами?
- Выведите итерационный алгоритм для метода второго порядка расчета полюсов матрицы рассеяния:
$$ \omega_{n+1}=\omega_{n}+2\dfrac{\max\mathrm{eig}\left(S'\left(\omega_{n}\right)\right)}{\max\mathrm{eig}\left(S''\left(\omega_{n}\right)\right)} $$
- Получите соотношение между усеченными Фурье-образами электрической индукции и поля для ТМ поляризации для расчета дифракции на тонком слое скошенной под углом $\varphi$ бинарной решетки методом ФММ, приняв во внимание граничные условия на нормальные и тангенциальные компоненты электрического поля и следующие правила факторизации: усеченный Фурье-образ произведения непрерывной функции $f$ и функции $g$, имеющей разрывы первого рода, рассчитывается как произведение соотетствующих Теплицевой матрицы и вектора Фурье амплитуд $T(f)\boldsymbol{g}$; усеченный Фурье-образ произведения функций $f$ и $g$, имеющих совпадающие разрывы первого рода, рассчитывается как произведение соотетствующих обратной Теплицевой матрицы и вектора Фурье амплитуд $T^{-1}(1/f)\boldsymbol{g}$.